STMicroelectronics MOSFET de SiC

Resultados: 69
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 29 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 82.5 nC - 55 C + 175 C 388 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 17 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 76 nC - 55 C + 200 C 398 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 17 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 90 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 120 nC - 55 C + 200 C 486 W
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 17 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 1.800
Múlt.: 1.800
Bobina: 1.800

STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 600
Múlt.: 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 17 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 41 nC - 55 C + 200 C 236 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 17 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole STPAK-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 239 A 10.5 nC - 10 V, + 22 V 4.4 V 304 nC - 55 C + 200 C 994 W
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 448
Múlt.: 448

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 239 A 10.5 mOhms -10 V, 22 V 4.4 V 304 nC - 55 C + 200 C 994 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.45 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement
STMicroelectronics SCT012HU90G3AG
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 600
Múlt.: 600
Bobina: 600

STMicroelectronics SCT019H120G3AG
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

STMicroelectronics SCT040H65G3-7
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

STMicroelectronics SCT040W65G3AG
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 17 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

STMicroelectronics SCT055H65G3-7
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

STMicroelectronics SCT055H65G3AG
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000