SCT055H65G3-7
511-SCT055H65G3-7
SCT055H65G3-7
Fabr.:
Descripción:
MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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Plazo de producción de fábrica:
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21 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
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Precio (EUR)
| Cant. | Precio unitario |
Precio total
|
|---|---|---|
| Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000) | ||
| 4,30 € | 4.300,00 € | |
Códigos de cumplimiento
- TARIC:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- No disponible
- País de origen del ensamblaje:
- No disponible
- País de difusión:
- No disponible
