SCT070H120G3-7
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511-SCT070H120G3-7
SCT070H120G3-7
Fabr.:
Descripción:
MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Ciclo de vida:
Descatalogado:
Retirada prevista. El fabricante va a descatalogar este producto.
Hoja de datos:
Disponibilidad
-
Existencias:
-
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-
Plazo de producción de fábrica:
-
21 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Este producto se envía de forma GRATUITA
Precio (EUR)
| Cant. | Precio unitario |
Precio total
|
|---|---|---|
| Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000) | ||
| 4,98 € | 4.980,00 € | |
Hoja de datos
PCN
Códigos de cumplimiento
- TARIC:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- Italia
- País de origen del ensamblaje:
- No disponible
- País de difusión:
- No disponible
