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SCTHCT250N12G3AG

Name: STMicroelectronics SCTHCT250N12G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTHCT250N12G3AG
Price: 49.21 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-SCTHCT250N12G3AG

Fabr. N.º:

SCTHCT250N12G3AG

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	49,21 €	22.046,08 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	239 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	10.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	-10 V, 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.4 V
Qg (carga de compuertas):	304 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 200 C
Pd (disipación de potencia):	994 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q100
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Empaquetado:	Tray
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Cantidad del paquete de fábrica:	448
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel