SCT055H65G3AG

STMicroelectronics
511-SCT055H65G3AG
SCT055H65G3AG

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 1000   Múltiples: 1000
Precio unitario:
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Precio total:
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Tarifa estimada:
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Precio (EUR)

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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
Marca: STMicroelectronics
Empaquetado: Reel
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120 de STMicroelectronics se fabrican con materiales de banda prohibida amplia avanzados e innovadores. Esto da lugar a una resistencia de encendido por área de unidad sin parangón y un muy buen rendimiento de conmutación prácticamente independiente de la temperatura. Las destacadas propiedades térmicas del material SiC y el paquete HiP247™patentado permiten a los diseñadores utilizar un perfil habitual en el sector con capacidades térmicas mejoradas significativamente. Estas características hacen que el dispositivo se adapte perfectamente a aplicaciones de densidad de alta eficiencia y alta potencia.
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