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SCT018HU65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT018HU65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018HU65G3AG
Price: 13.77 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-SCT018HU65G3AG

Fabr. N.º:

SCT018HU65G3AG

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A

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Hoja de datos:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	13,77 €	13,77 €
	10,65 €	106,50 €
	9,21 €	921,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 600)
	9,21 €	5.526,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HU3PAK-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	60 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	29 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	-10 V, 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.2 V
Qg (carga de compuertas):	82.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	388 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.5 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	9 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	40.2 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	29.5 ns