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SCT018W65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT018W65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018W65G3AG
Price: 10.42 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-SCT018W65G3AG

Fabr. N.º:

SCT018W65G3AG

Fabr.:

STMicroelectronics

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	HiP247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	55 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	27 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	-10 V, 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.2 V
Qg (carga de compuertas):	76 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 200 C
Pd (disipación de potencia):	398 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q100
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	17 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	36 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17 ns