SCT027TO65G3

STMicroelectronics
511-SCT027TO65G3
SCT027TO65G3

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 1800   Múltiples: 1800
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
13,15 € 13,15 €
10,41 € 104,10 €
8,95 € 895,00 €
8,27 € 4.135,00 €
7,93 € 7.930,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1800)
7,91 € 14.238,00 €
3.600 Cotización

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: Not Available
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Cantidad del paquete de fábrica: 1800
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99