STMicroelectronics MOSFET de SiC

Resultados: 68
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Hoja de datos
2.311En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 67 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 73 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
Hoja de datos
880En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 40 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 39.5 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
Hoja de datos
549En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
Hoja de datos
702En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 91 A 21 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 150 nC - 55 C + 200 C 547 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Hoja de datos
1.597En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 18 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 157 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
Hoja de datos
5En existencias
600Fecha prevista: 08/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 600

AEC-Q100
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
Hoja de datos
45En existencias
600Fecha prevista: 03/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 10 V, + 22 V 1.9 V 157 nC - 55 C + 200 C 390 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
635En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 110 A 15.8 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 138 nC - 55 C + 200 C 625 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
745En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 112 A 22 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 150 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
Hoja de datos
418En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C 555 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
968En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 39.3 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 48.6 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
Hoja de datos
607En existencias
600Fecha prevista: 10/08/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
Hoja de datos
1.764En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 31 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
Hoja de datos
37En existencias
1.800Fecha prevista: 15/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 63 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 42.5 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
106En existencias
1.000Fecha prevista: 17/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 110 A 12 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 138 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
169En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 79.4 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
527En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 77 nC - 55 C + 200 C 398 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
448En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole Hip247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C + 200 C 541 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
533En existencias
1.200Fecha prevista: 14/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101

STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
Hoja de datos
459En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Hoja de datos
328En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 29 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 51 nC - 55 C + 200 C 313 W Enhancement AEC-Q100


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
Hoja de datos
586En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q100


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Hoja de datos
584En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
537En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 63 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 37.5 nC - 55 C + 200 C 240 W Enhancement


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
635En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 63 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 37.5 nC - 55 C + 200 C 240 W Enhancement AEC-Q101