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SCT040TO65G3

Name: STMicroelectronics SCT040TO65G3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT040TO65G3
Price: 8.25 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-SCT040TO65G3

Fabr. N.º:

SCT040TO65G3

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

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Pedido:: 1.800

Fecha prevista: 13/07/2026
Plazo de producción de fábrica:: 20

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	8,25 €	8,25 €
	6,21 €	62,10 €
	4,61 €	461,00 €
	4,59 €	2.295,00 €
	4,44 €	4.440,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1800)
	4,30 €	7.740,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TOLL-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	35 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	63 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	42.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	288 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	16 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	36 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

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