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SCTL35N65G2V

Name: STMicroelectronics SCTL35N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTL35N65G2V
Price: 13.78 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-SCTL35N65G2V

Fabr. N.º:

SCTL35N65G2V

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

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-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	13,78 €	13,78 €
	9,74 €	97,40 €
	8,95 €	895,00 €
	8,94 €	4.470,00 €
	8,61 €	8.610,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	8,36 €	25.080,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerFLAT-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	40 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	67 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	73 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	417 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	14 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	35 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	16 ns
Peso unitario:	180 mg

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120 de STMicroelectronics se fabrican con materiales de banda prohibida amplia avanzados e innovadores. Esto da lugar a una resistencia de encendido por área de unidad sin parangón y un muy buen rendimiento de conmutación prácticamente independiente de la temperatura. Las destacadas propiedades térmicas del material SiC y el paquete HiP247™patentado permiten a los diseñadores utilizar un perfil habitual en el sector con capacidades térmicas mejoradas significativamente. Estas características hacen que el dispositivo se adapte perfectamente a aplicaciones de densidad de alta eficiencia y alta potencia.
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IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 650V HB

Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 650V HB de STMicroelectronics son IGBT desarrollados con una estructura avanzada Trench Gate y Field Stop propietaria. Estos dispositivos representan un equilibrio óptimo entre pérdidas de conducción y de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Gracias a la tecnología Trench-Gate Field-Stop de alta velocidad avanzada de ST, estos IGBT incluyen una cola de apagado de corriente de colector mínima, así como una tensión de saturación muy baja (Vce_(sat)), hasta 1,6 V (típica), para minimizar las pérdidas de energía durante la conmutación y en el encendido. Además, un coeficiente de temperatura VCE_(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada permiten un funcionamiento más seguro en paralelo.
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