SCTL35N65G2V

STMicroelectronics
511-SCTL35N65G2V
SCTL35N65G2V

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

Modelo ECAD:
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En existencias: 2.329

Existencias:
2.329 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Las cantidades mayores que 2329 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
13,78 € 13,78 €
9,74 € 97,40 €
8,95 € 895,00 €
8,94 € 4.470,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
7,61 € 22.830,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-5
N-Channel
1 Channel
650 V
40 A
67 mOhms
- 10 V, + 22 V
5 V
73 nC
- 55 C
+ 175 C
417 W
Enhancement
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 14 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento: ns
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo típico de retraso de apagado: 35 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 16 ns
Peso unitario: 180 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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