SCT018H65G3AG

STMicroelectronics
511-SCT018H65G3AG
SCT018H65G3AG

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Modelo ECAD:
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En existencias: 151

Existencias:
151 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
21 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
14,20 € 14,20 €
10,05 € 100,50 €
9,61 € 961,00 €
8,57 € 4.285,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
7,27 € 7.270,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
H2PAK-7
N-Channel
1 Channel
650 V
55 A
27 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.2 V
79.4 nC
- 55 C
+ 175 C
385 W
Enhancement
AEC-Q101
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 25 ns
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento: 28 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo típico de retraso de apagado: 56 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 25 ns
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

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