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SCT020HU120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT020HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT020HU120G3AG
Price: 19.57 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-SCT020HU120G3AG

Fabr. N.º:

SCT020HU120G3AG

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

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Pedido:: 600

Fecha prevista: 24/05/2027
Plazo de producción de fábrica:: 32

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 600)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	19,57 €	19,57 €
	14,62 €	146,20 €
	12,64 €	1.264,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 600)
	11,19 €	6.714,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HU3PAK-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	100 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	28 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	121 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Pd (disipación de potencia):	555 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	34 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	57 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	101 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	54 ns

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Japón
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: Italia

El país puede cambiar en el momento del envío.

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