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SCT025W120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT025W120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT025W120G3AG
Price: 16.3 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-SCT025W120G3AG

Fabr. N.º:

SCT025W120G3AG

Fabr.:

STMicroelectronics

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	HiP247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	56 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	37 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	73 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 200 C
Pd (disipación de potencia):	388 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	18.4 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	6.5 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	29.5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14.4 ns