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SCT019HU120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT019HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT019HU120G3AG
Price: 19.02 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-SCT019HU120G3AG

Fabr. N.º:

SCT019HU120G3AG

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

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Plazo de producción de fábrica:: 32

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	19,02 €	19,02 €
	14,21 €	142,10 €
	10,91 €	1.091,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 600)
	10,86 €	6.516,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Cualificación:	AEC-Q100
Marca:	STMicroelectronics
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Japón
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

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