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SCT018W65G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT018W65G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018W65G3-4AG
Price: 15.91 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-SCT018W65G3-4AG

Fabr. N.º:

SCT018W65G3-4AG

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

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	12,18 €	121,80 €
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	8,49 €	5.094,00 €
	7,36 €	8.832,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	HiP-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	55 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	27 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 18 V, + 18 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.2 V
Qg (carga de compuertas):	77 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 200 C
Pd (disipación de potencia):	398 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	29 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	13 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	64 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	24.5 ns

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120 de STMicroelectronics se fabrican con materiales de banda prohibida amplia avanzados e innovadores. Esto da lugar a una resistencia de encendido por área de unidad sin parangón y un muy buen rendimiento de conmutación prácticamente independiente de la temperatura. Las destacadas propiedades térmicas del material SiC y el paquete HiP247™patentado permiten a los diseñadores utilizar un perfil habitual en el sector con capacidades térmicas mejoradas significativamente. Estas características hacen que el dispositivo se adapte perfectamente a aplicaciones de densidad de alta eficiencia y alta potencia.
Más información

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

SCTWA90N65G2Vx 650V Power MOSFETs

STMicroelectronics SCTWA90N65G2Vx 650V Power MOSFETs are Silicon Carbide (SiC) MOSFETs with 18mΩ typical and 119A ratings. These power MOSFETs come in a HiP247 and HiP247-4 packages. The SCTWA90N65G2Vx 650V power MOSFETs feature extremely low gate charge and input capacitances, high speed switching performance, and a source sensing pin for increased efficiency. These MOSFETs are developed using ST’s advanced and innovative 2^nd generation SiC MOSFET technology. Applications include power supply for renewable energy systems, high-frequency DC/DC converters, charging stations, switching mode power supply, DC/DC converters, and industrial motor control.