STMicroelectronics MOSFET de SiC

Resultados: 69
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
Hoja de datos
142En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 600

SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 40 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V 36 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Hoja de datos
57En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 32 nC - 55 C + 200 C 210 W Enhancement


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
85En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
Hoja de datos
73En existencias
1.200Fecha prevista: 27/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
Hoja de datos
594En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6 A 1 Ohms - 10 V, + 25 V 2.1 V 14 nC - 55 C + 200 C 120 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
Hoja de datos
510En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 239 mOhms - 20 V, + 20 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 200 C 175 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Hoja de datos
1.597En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 18 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 157 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
Hoja de datos
593En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H
Hoja de datos
317En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 69 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 162 nC - 55 C + 200 C 420 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
90En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 105 mOhms - 18 V, + 18 V 5 V 63 nC - 55 C + 200 C 290 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
151En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 119 A 24 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 157 nC - 55 C + 200 C 565 W Enhancement


STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
28En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HIP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 91 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 2.45 V 150 nC - 55 C + 200 C 547 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
600Fecha prevista: 27/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 129 A 15 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 167 nC - 55 C + 200 C 673 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
1.200Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
996Fecha prevista: 22/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Hoja de datos
1.113Fecha prevista: 23/02/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 29 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an
Hoja de datos
844Fecha prevista: 16/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 500 mOhms - 10 V, + 25 V 3.5 V 22 nC - 55 C + 200 C 150 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
100Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
100Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247
Hoja de datos
69Fecha prevista: 16/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 119 A 24 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 157 nC - 55 C + 200 C 565 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 600

STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in a TO-LL package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 1.800
Múlt.: 1.800
Bobina: 1.800

STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 79.4 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 29 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 82.5 nC - 55 C + 175 C 388 W Enhancement