Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

SCT070HU120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT070HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT070HU120G3AG
Price: 12.15 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

511-SCT070HU120G3AG

Fabr. N.º:

SCT070HU120G3AG

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

Complete su diseño

Hoja de datos:

SCT070HU120G3AG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre STMicroelectronics SCT070HU120G3AG

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto como pedido pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Pedido:: 1.199

Fecha prevista: 02/07/2026
Plazo de producción de fábrica:: 22

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	12,15 €	12,15 €
	8,80 €	88,00 €
	7,28 €	728,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 600)
	6,79 €	4.074,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HU3PAK-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	30 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	87 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 18 V, + 18 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.2 V
Qg (carga de compuertas):	37 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	223 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.9 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	26.6 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	17.6 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	18.7 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SCT070HU120G3AG Hoja de datos (PDF)

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Japón
País de origen del ensamblaje:: Japón
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC Power MOSFETs

STMicroelectronics SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC (Silicon Carbide) Power MOSFET features minimal ON-resistance and excellent switching performance, almost independent of temperature, due to the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SCTW70N120G2V also offers a high-speed, robust intrinsic body diode and extremely low gate charge and input capacities. A high-temperature rating of +200°C enables the improved thermal design of power electronics systems.

MOSFET de potencia de carburo de silicio para automoción

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio para automoción de STMicroelectronics están desarrollados mediante la tecnología MOSFET SiC de 2.ª y 3.ª generación avanzada e innovadora de ST. Los dispositivos presentan una baja resistencia de activación por unidad de superficie y un rendimiento de conmutación excelente. Los MOSFET presentan una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta (TJ = 200°C) y un diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto.

MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120 de STMicroelectronics se fabrican con materiales de banda prohibida amplia avanzados e innovadores. Esto da lugar a una resistencia de encendido por área de unidad sin parangón y un muy buen rendimiento de conmutación prácticamente independiente de la temperatura. Las destacadas propiedades térmicas del material SiC y el paquete HiP247™patentado permiten a los diseñadores utilizar un perfil habitual en el sector con capacidades térmicas mejoradas significativamente. Estas características hacen que el dispositivo se adapte perfectamente a aplicaciones de densidad de alta eficiencia y alta potencia.
Más información