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SCT1000N170

Name: STMicroelectronics SCT1000N170
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT1000N170
Price: 8.18 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-SCT1000N170

Fabr. N.º:

SCT1000N170

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

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	5,59 €	55,90 €
	4,14 €	414,00 €
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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	HiP-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.7 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	6 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.1 V
Qg (carga de compuertas):	14 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 200 C
Pd (disipación de potencia):	120 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Serie:	SCT1000N170
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel

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Hoja de datos

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PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Italia
País de origen del ensamblaje:: Italia
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

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