SCTWA90N65G2V-4
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511-SCTWA90N65G2V-4
SCTWA90N65G2V-4
Fabr.:
Descripción:
MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
Ciclo de vida:
Descatalogado:
Retirada prevista. El fabricante va a descatalogar este producto.
Hoja de datos:
Disponibilidad
-
Existencias:
-
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-
Plazo de producción de fábrica:
-
22 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
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Precio (EUR)
| Cant. | Precio unitario |
Precio total
|
|---|---|---|
| 17,26 € | 10.356,00 € |
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Códigos de cumplimiento
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- ECCN:
- EAR99
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- China
- País de origen del ensamblaje:
- No disponible
- País de difusión:
- No disponible
