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SCT055W65G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT055W65G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT055W65G3-4AG
Price: 12.74 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-SCT055W65G3-4AG

Fabr. N.º:

SCT055W65G3-4AG

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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	12,74 €	12,74 €
	10,14 €	101,40 €
	9,20 €	920,00 €
	6,07 €	3.642,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	HiP-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	30 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	72 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 18 V, + 18 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.2 V
Qg (carga de compuertas):	32 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 200 C
Pd (disipación de potencia):	210 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q100
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	3.6 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	21 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

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