SCTW100N65G2AG
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511-SCTW100N65G2AG
SCTW100N65G2AG
Fabr.:
Descripción:
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H
Ciclo de vida:
Descatalogado:
Retirada prevista. El fabricante va a descatalogar este producto.
Hoja de datos:
Disponibilidad
-
Existencias:
-
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-
Plazo de producción de fábrica:
-
17 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Este producto se envía de forma GRATUITA
Precio (EUR)
| Cant. | Precio unitario |
Precio total
|
|---|---|---|
| 25,27 € | 15.162,00 € | |
| 1.200 | Cotización |
Códigos de cumplimiento
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- ECCN:
- EAR99
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- Italia
- País de origen del ensamblaje:
- No disponible
- País de difusión:
- No disponible
