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SCT025H120G3-7

Name: STMicroelectronics SCT025H120G3-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT025H120G3-7
Price: 14.02 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-SCT025H120G3-7

Fabr. N.º:

SCT025H120G3-7

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Ciclo de vida:

Descatalogado:

Retirada prevista. El fabricante va a descatalogar este producto.

Hoja de datos:

SCT025H120G3-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Disponibilidad

Existencias:: 0

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Pedido:: 100

Fecha prevista: 29/05/2026
Plazo de producción de fábrica:: 21

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	14,02 €	14,02 €
	13,07 €	130,70 €
	11,94 €	1.194,00 €
	11,32 €	5.660,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	8,55 €	8.550,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	H2PAK-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	55 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	37 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	73 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	375 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	25 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	27 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	48 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	23 ns