Microchip MOSFET de SiC

Resultados: 119
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
Hoja de datos
150En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
Hoja de datos
258En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 232 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-268
Hoja de datos
98En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 65 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 206 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268
Hoja de datos
44En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 50 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 137 nC - 55 C + 175 C 303 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-268
Hoja de datos
23En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 89 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 232 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
Hoja de datos
67En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 40 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 137 nC - 55 C + 175 C 323 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
115En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 24 mOhms - 10 V, 21 V 3 V 136 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
65En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 33 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 109 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
115En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 40 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 91 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
115En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Thorugh Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 53 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 256 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
120En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 60 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 61 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
117En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 80 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 45 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
81En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 107 mOhms - 10 V, + 21 V 5 V 34 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
310En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
20En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 119 A 22 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 194 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
23En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 113 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 232 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
79En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 75 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 93 nC - 55 C + 175 C 304 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
58En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 71 A 50 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 137 nC - 55 C + 175 C 371 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-268
Hoja de datos
91En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247
Hoja de datos
142En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 113 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 232 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247
Hoja de datos
90En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 68 A 45 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247
Hoja de datos
238En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 100 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 64 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247-4
Hoja de datos
312En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1.7 kV 750 mOhms
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247-4
Hoja de datos
42En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 113 A 17.6 mOhms - 10 V, + 23 V 2.7 V - 55 C + 175 C 455 W
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4
Hoja de datos
318En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 68 A 35 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 178 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement