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MSC035SMA170B4

Name: Microchip MSC035SMA170B4
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC035SMA170B4
Price: 35.95 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

579-MSC035SMA170B4

Fabr. N.º:

MSC035SMA170B4

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

MOSFET de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4

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Hoja de datos:

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Pedido:: 510

Fecha prevista: 12/10/2026
Plazo de producción de fábrica:: 8

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Precio total:

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	35,95 €	35,95 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.7 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	68 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	35 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.25 V
Qg (carga de compuertas):	178 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	370 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	17 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	7 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	15 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7 ns

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.