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MSC025SMA120B4N

Name: Microchip MSC025SMA120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC025SMA120B4N
Price: 25.27 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

579-MSC025SMA120B4N

Fabr. N.º:

MSC025SMA120B4N

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

MSC025SMA120B4N Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	113 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	31 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	232 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	577 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	16 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	23 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	39 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17 ns

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer superior dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power MOSFETs. These MOSFETs have low capacitances, low gate charge, fast switching speed, and good avalanche ruggedness. The SiC MOSFETs can stabilize operation at 175°C high junction temperature. These MOSFETs provide high efficiency with low switching losses. The SiC MOSFETs do not require any freewheeling diodes. Typical applications include smart grid transmission and distribution, induction heating and welding, and power supply and distribution.