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MSC025SMA120B4

Name: Microchip MSC025SMA120B4
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC025SMA120B4
Price: 32.44 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

494-MSC025SMA120B4

Fabr. N.º:

MSC025SMA120B4

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4

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Hoja de datos:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	32,44 €	32,44 €
	30,78 €	307,80 €
	29,05 €	871,50 €
	28,35 €	3.402,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	103 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	31 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.8 V
Qg (carga de compuertas):	232 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	500 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	35 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	35 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	18 ns
Peso unitario:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.