Soluciones de carga de vehículos eléctricos

Las soluciones de carga de los vehículos eléctricos (EV) Littelfuse permiten a los diseñadores seleccionar la solución ideal para garantizar que las unidades de carga EV sean funcionales y seguras. Las estaciones de carga EV periféricas funcionan en entornos adversos sometidos a calor y frío extremos, lluvia, nieve y rayos. Los productos de Littelfuse protegen contra estos peligros, minimizando el riesgo de fallos.

Resultados: 95
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS MOSFET 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
Hoja de datos
939En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 240 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 32A TO-247 Power MOSFET
Hoja de datos
504En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Hoja de datos
297En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Hoja de datos
396En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 80 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
Hoja de datos
272En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 200 V 300 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
Hoja de datos
705En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 56 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Hoja de datos
278En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 850 V 50 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 152 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
Hoja de datos
403En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 76 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 75 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 650V 102A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
251En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
Hoja de datos
889En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 107 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
Hoja de datos
265En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 300 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
28En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
Hoja de datos
51En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 150 A 17 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 430 nC - 55 C + 150 C 1.56 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Hoja de datos
238En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET
Hoja de datos
195En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 52 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 245 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/80A TO-247-4L
Hoja de datos
509En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET
Hoja de datos
257En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 200V/90A X3-Class HiPerFET
Hoja de datos
269En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 26A TO-268HV Power MOSFET
Hoja de datos
140En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 113 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 32A TO-264 Power MOSFET
Hoja de datos
255En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 150V 400A N-CH 4CLASS
Hoja de datos
1.409En existencias
375Fecha prevista: 17/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 400 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 430 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
Hoja de datos
139En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 170 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Hoja de datos
270En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 50 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 152 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2
Hoja de datos
861En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
Hoja de datos
534En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube