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IXFK240N25X3

Name: IXYS IXFK240N25X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK240N25X3
Price: 28.3 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXFK240N25X3

Fabr. N.º:

IXFK240N25X3

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET

Hoja de datos:

IXFK240N25X3 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-264-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	250 V
Id: corriente de drenaje continuo:	240 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.1 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	345 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.25 kW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	32 ns
Transconductancia delantera: mín.:	80 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	32 ns
Serie:	X3-Class
Cantidad del paquete de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	180 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	36 ns
Peso unitario:	10 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

X3-Class Power MOSFETs with HiPerFET™

IXYS X3-Class Power MOSFETs with HiPerFET™ are avalanche-rated fast intrinsic diodes with N-channel enhancement mode. These MOSFETs feature low R_DS(ON), low gate charge (Q_G), and high-power density. IXYS X3-Class 200V-300V Power MOSFETs with HiPerFET remove leftover energies during high-speed switching to avoid device failure. Typical applications include DC-to-DC converters, power supplies, robotics, servo controls, and battery chargers for light electric vehicles.

Ultra Junction MOSFETs

IXYS Ultra Junction MOSFETs feature low R_DS(on) and low Q_g in low inductance industry standard packages. These devices enable high power density, easy mounting, and space-saving opportunities. IXYS Ultra Junction MOSFETs are ideal solutions in SMPS, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, and robotics/servo controls.

X-Class 850V - 1000V Power MOSFETs with HiPerFET™

IXYS X-Class 850V-1000V Power MOSFETs with HiPerFET™ with fast body diodes are rugged devices that display the lowest on-state resistances in the industry. This enables a very high power density in high-voltage power conversion applications. Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, these devices exhibit low gate charges and superior dv/dt performance. In addition, thanks to the fast soft-recovery body diode, these ultra-junction MOSFETs help reduce switching losses and Electromagnetic Interference (EMI).

Soluciones de carga de vehículos eléctricos

Las soluciones de carga de los vehículos eléctricos (EV) Littelfuse permiten a los diseñadores seleccionar la solución ideal para garantizar que las unidades de carga EV sean funcionales y seguras. Las estaciones de carga EV periféricas funcionan en entornos adversos sometidos a calor y frío extremos, lluvia, nieve y rayos. Los productos de Littelfuse protegen contra estos peligros, minimizando el riesgo de fallos.

Heat Pumps

Littelfuse provides a broad portfolio of components for heat pumps, including fuses, TVS diodes, gate drivers, and more. The heat pump market is growing quickly, driven by government initiatives to reduce greenhouse gas emissions and rising energy costs. With inverter-driven motors improving system efficiencies, heat pumps can now be used in a wide range of climates. Learn how Littelfuse technologies make heat pumps safer, more reliable, and more energy efficient. Heat pumps can be used in a wide range of climates due to the inverter-driven motors improving system efficiencies. These components are suitable for various applications such as energy management, security systems, HVAC systems, smoke detectors, and IoT-controlled appliances. Littelfuse offers protect, control, and sense technologies to improve buildings' reliability, safety, and energy efficiency.

Solar Inverters & Battery Energy Storage Systems

Littelfuse Solar Inverters and Battery Energy Storage Systems (BESS) can operate in both AC and DC coupled solar systems. The AC coupled solar system features two inverters, offering higher flexibility and easier installation. DC coupled solar systems have a single inverter and provide higher efficiency because the shorter cables between BESS and PV reduce losses. Littelfuse Solar Inverters and BESS components include TVS diodes, MOSFETs, IGBT drivers, fuses, relays, and more.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.