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IXFK32N100X

Name: IXYS IXFK32N100X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK32N100X
Price: 26.01 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXFK32N100X

Fabr. N.º:

IXFK32N100X

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET 1000V 32A TO-264 Power MOSFET

Hoja de datos:

IXFK32N100X Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	18,00 €	1.800,00 €
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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-264-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	32 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	220 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	130 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	890 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia delantera: mín.:	14 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	12 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	80 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	29 ns
Peso unitario:	10 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

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