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IXFT50N85XHV

Name: IXYS IXFT50N85XHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT50N85XHV
Price: 20.38 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXFT50N85XHV

Fabr. N.º:

IXFT50N85XHV

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

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IXFT50N85XHV Hoja de datos

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Plazo de producción de fábrica:: 27

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	20,38 €	20,38 €
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	14,10 €	1.692,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	850 V
Id: corriente de drenaje continuo:	50 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	105 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	152 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	890 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	14 ns
Transconductancia delantera: mín.:	19 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	30 ns
Serie:	X-Class
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	69 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	27 ns
Peso unitario:	4 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

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