Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

Resultados: 21
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-247
Hoja de datos
45En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual 65 A 1.2 kV 1.5 V 165 A 200 uA - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
Hoja de datos
158En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 15 A 1.2 kV 1.5 V 109 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 30 A SiC SBD
Hoja de datos
835En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 69 A 1.2 kV 1.5 V 280 A 9 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-220
Hoja de datos
862En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220FP-2 Single 30 A 1.2 kV 1.5 V 165 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 10 A SiC SBD
Hoja de datos
132En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 10 A 1.2 kV 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 10 A SiC SBD
Hoja de datos
225En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 27 A 1.2 kV 1.5 V 75 A 3 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
Hoja de datos
43En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 10 A 1.7 kV 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 700 V 30 A TO-247
Hoja de datos
225En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 30 A 700 V 1.5 V 146 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700V, 30A SiC SBD
Hoja de datos
164En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT D3PAK Single 60 A 700 V 1.5 V 146 A 200 uA - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-268
Hoja de datos
45En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT D3PAK Single 30 A 1.2 kV 1.5 V 165 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 50 A SiC SBD
Hoja de datos
145En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 700 V 1.5 V 124 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
Hoja de datos
52En existencias
120Fecha prevista: 13/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.5 V 290 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube

Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
Hoja de datos
10En existencias
30Fecha prevista: 06/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual 109 A 1.2 kV 1.5 V 290 A - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-268
Hoja de datos
65En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT D3PAK Single 50 A 1.2 kV 1.5 V 290 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
Hoja de datos
23En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 10 A 700 V 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 10 A SiC SBD
Hoja de datos
325En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 700 V 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700V, 50A SiC SBD
Hoja de datos
44En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT D3PAK Single 50 A 1.2 kV 1.5 V 290 A 200 uA - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 20 A SiC SBD
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 7 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 30 A 700 V 1.5 V 146 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 15 A TO-220
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 150
Múlt.: 150

Through Hole TO-220-2 Single 15 A 1.2 kV 1.5 V 109 A 10 uA - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 20 A TO-220
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 7 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100

Through Hole TO-220-2 Single 20 A 1.2 kV 1.5 V 115 A 6 uA - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 700 V 10 A TO-268
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TO-268-3 Single 24 A 700 V 1.5 V 58 A - 55 C + 175 C Tube