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MSC050SDA120BCT

Name: Microchip MSC050SDA120BCT
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC050SDA120BCT
Price: 28.22 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

494-MSC050SDA120BCT

Fabr. N.º:

MSC050SDA120BCT

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-247

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Hoja de datos:

MSC050SDA120BCT Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Configuración:	Dual
If - Corriente delantera:	109 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión delantera:	1.5 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	290 A
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Pd (disipación de potencia):	429 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.