Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

MSC015SDA120K

Name: Microchip MSC015SDA120K
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC015SDA120K
Price: 5.49 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

579-MSC015SDA120K

Fabr. N.º:

MSC015SDA120K

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 15 A TO-220

Ver en el Selector de herramientas de desarrollo

Hoja de datos:

MSC015SDA120K Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:: No en almacén

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 7 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.

Introducir cantidad:

Mínimo: 150 Múltiples: 50

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	5,49 €	823,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-2
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	15 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión delantera:	1.5 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	109 A
Ir - Corriente inversa:	10 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Pd (disipación de potencia):	150 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

MSC015SDA120K Hoja de datos (PDF)

DTS

Ver en el Selector de herramientas de desarrollo

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: No disponible
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.