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MSC015SDA120K

Name: Microchip MSC015SDA120K
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC015SDA120K
Price: 4.39 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

579-MSC015SDA120K

Fabr. N.º:

MSC015SDA120K

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 15 A TO-220

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Hoja de datos:

MSC015SDA120K Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-2
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	15 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión delantera:	1.5 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	109 A
Ir - Corriente inversa:	10 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Pd (disipación de potencia):	150 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.