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MSC030SDA120S

Name: Microchip MSC030SDA120S
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC030SDA120S
Price: 10 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

494-MSC030SDA120S

Fabr. N.º:

MSC030SDA120S

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-268

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Hoja de datos:

MSC030SDA120S Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D3PAK
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	30 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión delantera:	1.5 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	165 A
Ir - Corriente inversa:	200 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	MSC0
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.