MOSFET de SiC – Mouser España

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650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

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Número de referencia

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 16,06 €
455En existencias

Fabr. N.º Ref.
SCT018W65G3-4AG

N.º Ref. Mouser
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

455En existencias

16,06 €

12,23 €

10,19 €

9,08 €

8,49 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: 11,70 €
845En existencias

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SCT027H65G3AG

N.º Ref. Mouser
511-SCT027H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

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845En existencias

Cinta extraída

11,70 €

8,17 €

6,64 €

Bobina

6,28 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: 9,92 €
517En existencias

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SCT040W65G3-4

N.º Ref. Mouser
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

517En existencias

9,92 €

5,96 €

5,31 €

5,11 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 11,54 €
481En existencias

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STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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481En existencias

11,54 €

8,36 €

7,16 €

6,17 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: 7,87 €
1.414En existencias

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SCT055TO65G3

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511-SCT055TO65G3

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

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Hoja de datos

1.414En existencias

Cinta extraída

7,87 €

5,38 €

4,44 €

4,03 €

3,69 €

Bobina

3,69 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 1.800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: 14,25 €
45En existencias
1.000Fecha prevista: 05/02/2027

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SCT018H65G3AG

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511-SCT018H65G3AG

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MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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45En existencias

1.000Fecha prevista: 05/02/2027

Cinta extraída

14,25 €

10,05 €

9,61 €

8,57 €

Bobina

8,00 €

MouseReel Disponible

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: 10,41 €
828En existencias

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SCT040H65G3AG

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511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

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828En existencias

Cinta extraída

10,41 €

7,22 €

5,70 €

Bobina

5,39 €

MouseReel Disponible

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 1.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: 8,87 €
8En existencias
1.800Fecha prevista: 28/08/2026

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SCT040TO65G3

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511-SCT040TO65G3

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1.800Fecha prevista: 28/08/2026

Cinta extraída

8,87 €

6,09 €

4,88 €

4,64 €

4,36 €

Bobina

4,36 €

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: 1.800

SMD/SMT

TOLL-8

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1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

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SCT055W65G3-4AG
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600Pedido

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12,93 €

9,85 €

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1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

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AEC-Q100

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SCT018H65G3-7
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1.000: 7,50 €
No en almacén Plazo producción 21 Semanas
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55 A

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- 10 V, 22 V

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