MOSFET de SiC – Mouser España

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650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

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Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Qg (carga de compuertas)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Pd (disipación de potencia)	Modo canal	Cualificación
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package SCT027H65G3AG STMicroelectronics 1: 11,70 € 442En existencias 1.000Pedido	Fabr. N.º Ref. SCT027H65G3AG N.º Ref. Mouser 511-SCT027H65G3AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package Más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	442En existencias 1.000Pedido	Cinta extraída 11,70 € 6,66 € 6,64 € Bobina 6,28 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	60 A	39.3 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	48.6 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4 STMicroelectronics 1: 9,71 € 457En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT040W65G3-4 N.º Ref. Mouser 511-SCT040W65G3-4	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	457En existencias	9,71 € 5,31 € 4,86 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4AG STMicroelectronics 1: 11,42 € 429En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT040W65G3-4AG N.º Ref. Mouser 511-SCT040W65G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	429En existencias	11,42 € 8,51 € 7,10 € 6,32 € 5,90 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package SCT055TO65G3 STMicroelectronics 1: 8,64 € 1.394En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT055TO65G3 N.º Ref. Mouser 511-SCT055TO65G3	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package Más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	1.394En existencias	Cinta extraída 8,64 € 5,90 € 4,87 € 4,33 € 4,06 € Bobina 4,06 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A SCT040H65G3AG STMicroelectronics 1: 11,32 € 507En existencias 1.000Fecha prevista: 02/07/2027	Fabr. N.º Ref. SCT040H65G3AG N.º Ref. Mouser 511-SCT040H65G3AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A Más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	507En existencias 1.000Fecha prevista: 02/07/2027	Cinta extraída 11,32 € 8,44 € 7,03 € 6,26 € Bobina 5,86 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	30 A	40 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	39.5 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3AG STMicroelectronics 1: 14,16 € 5En existencias 1.000Fecha prevista: 15/10/2027	Fabr. N.º Ref. SCT018H65G3AG N.º Ref. Mouser 511-SCT018H65G3AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package Más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	5En existencias 1.000Fecha prevista: 15/10/2027	Cinta extraída 14,16 € 8,49 € Bobina 7,93 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package SCT040TO65G3 STMicroelectronics 1: 9,65 € 8En existencias 1.800Fecha prevista: 05/02/2027	Fabr. N.º Ref. SCT040TO65G3 N.º Ref. Mouser 511-SCT040TO65G3	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package Más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	8En existencias 1.800Fecha prevista: 05/02/2027	Cinta extraída 9,65 € 6,82 € 5,68 € 5,07 € 4,73 € Bobina 4,73 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	35 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	42.5 nC	- 55 C	+ 175 C	288 W	Enhancement
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics 1: 16,06 € 600Pedido	Fabr. N.º Ref. SCT018W65G3-4AG N.º Ref. Mouser 511-SCT018W65G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package	Hoja de datos	600Pedido	16,06 € 12,24 € 10,20 € 8,49 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	77 nC	- 55 C	+ 200 C	398 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A SCT055W65G3-4AG STMicroelectronics 1: 10,10 € 600Fecha prevista: 07/05/2027	Fabr. N.º Ref. SCT055W65G3-4AG N.º Ref. Mouser 511-SCT055W65G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A Más información sobre STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets	Hoja de datos	600Fecha prevista: 07/05/2027	10,10 € 7,30 € 6,09 € 5,43 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	32 nC	- 55 C	+ 200 C	210 W	Enhancement	AEC-Q100
MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3-7 STMicroelectronics 1: 13,55 € No en almacén Plazo producción 25 Semanas Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. SCT018H65G3-7 N.º Ref. Mouser 511-SCT018H65G3-7 Nuevo producto	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package Más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 25 Semanas	Cinta extraída 13,55 € 8,03 € Bobina 7,60 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 10 V, 22 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement

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