IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 1200 H

Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 1200V H de STMicroelectronics son IGBT de alta velocidad desarrollados con una estructura Trench Gate y Field Stop propietaria. Estos dispositivos representan un equilibrio óptimo entre pérdidas de conducción y de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Gracias a la tecnología Trench-Gate Field-Stop High-Speed avanzada de ST, estos IGBT presentan un tiempo mínimo de resistencia a cortocircuitos de 5 μs a TJ=150 °C, incluyen una cola de apagado de corriente de colector mínima, así como una tensión de saturación muy baja (Vce(sat)), hasta 2,1 V (típica), para minimizar las pérdidas de energía durante la conmutación y en el encendido. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada permiten un funcionamiento más seguro en paralelo. Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 1200 H son perfectos para suministros de alimentación ininterrumpible, máquinas soldadoras, inversores fotovoltaicos, corrección del factor de potencia y convertidores de alta frecuencia.
Más información

Resultados: 20
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
Hoja de datos
911En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Hoja de datos
2.258En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 24 W - 55 C + 175 C STGF5H60DF Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Hoja de datos
597En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 86 A 272 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Hoja de datos
434En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGW40H120F2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Hoja de datos
3.931En existencias
1.000Fecha prevista: 09/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 88 W - 55 C + 175 C STGP5H60DF Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Hoja de datos
1.119En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGW25H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Hoja de datos
512En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGW25H120F2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT
Hoja de datos
436En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 100 A 535 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Hoja de datos
55En existencias
1.200Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 30 A 259 W - 55 C + 175 C STGW15H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Hoja de datos
170En existencias
3.600Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGW40H120DF2 Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Hoja de datos
34En existencias
600Fecha prevista: 07/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGWA40H120DF2 Tube


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
Hoja de datos
597Fecha prevista: 23/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 115 A 357 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Hoja de datos
493En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Hoja de datos
4.882Fecha prevista: 18/06/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 83 W - 55 C + 175 C STGD5H60DF Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Hoja de datos
600Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 30 A 259 W - 55 C + 175 C STGWA15H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
Hoja de datos
Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 14 A 88 W - 55 C + 175 C STGP7H60DF Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120F2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 88 W - 55 C + 175 C STGB5H60DF Reel
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 180 W - 55 C + 175 C Tube