IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 1200 H

Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 1200V H de STMicroelectronics son IGBT de alta velocidad desarrollados con una estructura Trench Gate y Field Stop propietaria. Estos dispositivos representan un equilibrio óptimo entre pérdidas de conducción y de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Gracias a la tecnología Trench-Gate Field-Stop High-Speed avanzada de ST, estos IGBT presentan un tiempo mínimo de resistencia a cortocircuitos de 5 μs a TJ=150 °C, incluyen una cola de apagado de corriente de colector mínima, así como una tensión de saturación muy baja (Vce(sat)), hasta 2,1 V (típica), para minimizar las pérdidas de energía durante la conmutación y en el encendido. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada permiten un funcionamiento más seguro en paralelo. Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 1200 H son perfectos para suministros de alimentación ininterrumpible, máquinas soldadoras, inversores fotovoltaicos, corrección del factor de potencia y convertidores de alta frecuencia.
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Resultados: 20
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
Hoja de datos
598En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 115 A 357 W - 55 C + 175 C Tube


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Hoja de datos
511En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 30 A 259 W - 55 C + 175 C STGWA15H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Hoja de datos
662En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 86 A 272 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
Hoja de datos
990En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Hoja de datos
2.258En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 24 W - 55 C + 175 C STGF5H60DF Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT
Hoja de datos
560En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 100 A 535 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Hoja de datos
1.693En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGW25H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Hoja de datos
659En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGW25H120F2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Hoja de datos
1.828En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGW40H120DF2 Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Hoja de datos
747En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGWA40H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Hoja de datos
2.897En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 83 W - 55 C + 175 C STGD5H60DF Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Hoja de datos
931En existencias
1.000Fecha prevista: 03/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 88 W - 55 C + 175 C STGP5H60DF Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Hoja de datos
185En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 30 A 259 W - 55 C + 175 C STGW15H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Hoja de datos
452En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGW40H120F2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Hoja de datos
493En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 1.000

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 14 A 88 W - 55 C + 175 C STGP7H60DF Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120F2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 88 W - 55 C + 175 C STGB5H60DF Reel
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 180 W - 55 C + 175 C Tube