STGYA50H120DF2

STMicroelectronics
511-STGYA50H120DF2
STGYA50H120DF2

Fabr.:

Descripción:
IGBT Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT

Modelo ECAD:
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En existencias: 490

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
5,62 € 5,62 €
3,94 € 39,40 €
3,45 € 414,00 €
3,35 € 1.708,50 €
3,29 € 3.355,80 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
Si
Through Hole
Single
1.2 kV
2.1 V
- 20 V, 20 V
100 A
535 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: IGBTs
Peso unitario: 4,430 g
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99