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STGP7H60DF

Name: STMicroelectronics STGP7H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP7H60DF
Price: 1.67 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-STGP7H60DF

Fabr. N.º:

STGP7H60DF

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,67 €	1,67 €
	0,798 €	7,98 €
	0,713 €	71,30 €
	0,564 €	282,00 €
	0,515 €	515,00 €
	0,475 €	950,00 €
	0,457 €	2.285,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	600 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.95 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	14 A
Pd (disipación de potencia):	88 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	STGP7H60DF
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Corriente continua del colector Ic Máx.:	14 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	6 g

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Hoja de datos

STGP7H60DF Hoja de datos (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 1200 H

Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 1200V H de STMicroelectronics son IGBT de alta velocidad desarrollados con una estructura Trench Gate y Field Stop propietaria. Estos dispositivos representan un equilibrio óptimo entre pérdidas de conducción y de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Gracias a la tecnología Trench-Gate Field-Stop High-Speed avanzada de ST, estos IGBT presentan un tiempo mínimo de resistencia a cortocircuitos de 5 μs a T_J=150 °C, incluyen una cola de apagado de corriente de colector mínima, así como una tensión de saturación muy baja (V_ce(sat)), hasta 2,1 V (típica), para minimizar las pérdidas de energía durante la conmutación y en el encendido. Además, un coeficiente de temperatura VCE_(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada permiten un funcionamiento más seguro en paralelo. Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 1200 H son perfectos para suministros de alimentación ininterrumpible, máquinas soldadoras, inversores fotovoltaicos, corrección del factor de potencia y convertidores de alta frecuencia.
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