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STGF5H60DF

Name: STMicroelectronics STGF5H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGF5H60DF
Price: 1.38 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STGF5H60DF

Fabr. N.º:

STGF5H60DF

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,38 €	1,38 €
	0,768 €	7,68 €
	0,589 €	58,90 €
	0,473 €	236,50 €
	0,409 €	409,00 €
	0,389 €	778,00 €
	0,351 €	1.755,00 €
	0,35 €	3.500,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	TO-220FP-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	600 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.5 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	10 A
Pd (disipación de potencia):	24 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	STGF5H60DF
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Corriente continua del colector Ic Máx.:	10 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	+/- 250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	2,300 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 1200 H

Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 1200V H de STMicroelectronics son IGBT de alta velocidad desarrollados con una estructura Trench Gate y Field Stop propietaria. Estos dispositivos representan un equilibrio óptimo entre pérdidas de conducción y de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Gracias a la tecnología Trench-Gate Field-Stop High-Speed avanzada de ST, estos IGBT presentan un tiempo mínimo de resistencia a cortocircuitos de 5 μs a T_J=150 °C, incluyen una cola de apagado de corriente de colector mínima, así como una tensión de saturación muy baja (V_ce(sat)), hasta 2,1 V (típica), para minimizar las pérdidas de energía durante la conmutación y en el encendido. Además, un coeficiente de temperatura VCE_(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada permiten un funcionamiento más seguro en paralelo. Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 1200 H son perfectos para suministros de alimentación ininterrumpible, máquinas soldadoras, inversores fotovoltaicos, corrección del factor de potencia y convertidores de alta frecuencia.
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