STGWA15H120DF2

STMicroelectronics
511-STGWA15H120DF2
STGWA15H120DF2

Fabr.:

Descripción:
IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
0

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Pedido:
600
Fecha prevista: 27/08/2026
Plazo de producción de fábrica:
14
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
4,21 € 4,21 €
2,79 € 27,90 €
1,98 € 198,00 €
1,62 € 972,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
Si
Through Hole
Single
1.2 kV
2.5 V
- 20 V, 20 V
30 A
259 W
- 55 C
+ 175 C
STGWA15H120DF2
Tube
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 600
Subcategoría: IGBTs
Peso unitario: 6,100 g
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99