Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

Resultados: 30
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Renesas Electronics FET de GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
Hoja de datos
351En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
Hoja de datos
1.428En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
Hoja de datos
698En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 650V, 100mohm GaN FET in TO220
Hoja de datos
840En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L
Hoja de datos
601En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Hoja de datos
2.674En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Hoja de datos
2.518En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 650V, 70mohm GaN FET in TO220
Hoja de datos
1.216En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 650V, 70mohm GaN FET in TOLT
Hoja de datos
1.696En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Hoja de datos
3.773En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 650V, 150mohm GaN FET in TO220
Hoja de datos
836En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Hoja de datos
1.685En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1.200
Múlt.: 1.200

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics FET de GaN 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 14.2 A 180 mOhms 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement SuperGaN