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TP65H030G4PWS

Name: Renesas Electronics TP65H030G4PWS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H030G4PWS
Price: 8.62 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

227-TP65H030G4PWS

Fabr. N.º:

TP65H030G4PWS

Fabr.:

Renesas Electronics

Descripción:

FET de GaN 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

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Pedido:: 960

Fecha prevista: 29/06/2026
Plazo de producción de fábrica:: 16

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	8,62 €	8,62 €
	6,03 €	60,30 €
	4,20 €	420,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	55.7 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	41 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.8 V
Qg (carga de compuertas):	24.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	192 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperGaN
Marca:	Renesas Electronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	JP
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	8 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	6.8 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Cantidad del paquete de fábrica:	960
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	GaN FET
Tiempo típico de retraso de apagado:	89.2 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	40.8 ns

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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FETs

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ Gallium Nitride (GaN) FETs are available in TOLT, TO247, and TOLL packages. These GaN FETs use the Gen IV Plus SuperGaN^® platform, which combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET to offer superior performance, standard drive, ease of adoption, and reliability.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.