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TP70H480G4JSG-TR

Name: Renesas Electronics TP70H480G4JSG-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP70H480G4JSG-TR
Price: 0.5 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

227-TP70H480G4JSG-TR

Fabr. N.º:

TP70H480G4JSG-TR

Fabr.:

Renesas Electronics

Descripción:

FET de GaN 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN

Hoja de datos:

TP70H480G4JSG-TR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	700 V
Nombre comercial:	SuperGaN
Marca:	Renesas Electronics
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Producto:	FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	Gen IV SuperGaN
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN

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Hoja de datos

TP70H480G4JSG-TR Hoja de datos (PDF)

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USHTS:: 8541497040
ECCN:: EAR99

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.