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TP70H150G4LSGB-TR

Name: Renesas Electronics TP70H150G4LSGB-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP70H150G4LSGBTR
Price: 1.16 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

227-TP70H150G4LSGBTR

Fabr. N.º:

TP70H150G4LSGB-TR

Fabr.:

Renesas Electronics

Descripción:

FET de GaN 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN

Hoja de datos:

TP70H150G4LSGB-TR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	700 V
Nombre comercial:	SuperGaN
Marca:	Renesas Electronics
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Producto:	FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	Gen IV SuperGaN
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN

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Hoja de datos

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USHTS:: 8541497040
ECCN:: EAR99

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.