STMicroelectronics IGBT Trench Gate Field-Stop STGWT28IH125DF
STGWT28IH125DF de STMicroelectronics son IGBT desarrollados con una estructura Trench Gate Field-Stop avanzada patentada. Se ha optimizado el rendimiento en pérdidas de conducción y conmutación. Se incluye en el mismo paquete un diodo de giro libre con caída de tensión directa baja. El resultado es un producto diseñado específicamente para maximizar la eficiencia para cualquier aplicación resonante y de conmutación suave.
Características
- Designed for soft commutation only
- +175°C maximum junction temperature
- Minimized tail current
- 2.0V (typ.) collector-emitter voltage @ IC= 25A
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low VF soft recovery co-packaged diode
- Low thermal resistance
- Lead-free package
Aplicaciones
- Induction heating
- Microwave ovens
- Resonant converters
Schematic Diagram
Related Products
STMicroelectronics IGBT V Series
Developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure.
STMicroelectronics IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 650V HB
Representa un equilibrio óptimo entre pérdidas de conducción y de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia.
Publicado: 2015-02-03
| Actualizado: 2022-03-11