Resultados: 25
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Cualificación
Empaquetado


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
Hoja de datos
74En existencias
1.000Fecha prevista: 21/12/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si D2PAK SMD/SMT Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGB40V60F Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
Hoja de datos
2.158En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGD6M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Hoja de datos
793En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 50 A 167 W - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBT Trench gate H series 600V 15A HiSpd
Hoja de datos
722En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 30 W - 55 C + 175 C STGF15H60DF Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
Hoja de datos
866En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGP20V60DF Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
Hoja de datos
1.013En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGW30V60DF Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 40A trench gate field-stop IGBT
Hoja de datos
84En existencias
600Fecha prevista: 03/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H60DLFB Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
Hoja de datos
868En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40V60DF Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
Hoja de datos
158En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60V60F Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
Hoja de datos
911En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Hoja de datos
402En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 50 A 167 W - 55 C + 175 C Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Hoja de datos
84En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGWA40H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Hoja de datos
493En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 72 A 227 W - 55 C + 175 C STGWA40HP65FB2 Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Hoja de datos
177En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20V60F Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 60A trench gate field-stop IGBT
Hoja de datos
1.677Fecha prevista: 10/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
Hoja de datos
998Fecha prevista: 22/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60V60DF Tube


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Hoja de datos
280En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-3PF Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 62.5 W - 55 C + 175 C STGFW40H65FB

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
Hoja de datos
832Fecha prevista: 15/06/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.85 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGB30V60DF Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBT 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20H60DF Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Hoja de datos
Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 115 A 375 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics STGB20H65FB2
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

- 20 V, 20 V Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics STGB20H65DFB2
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

- 20 V, 20 V Reel
STMicroelectronics STGP30H65DFB2
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

- 20 V, 20 V Tube

STMicroelectronics IGBT Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ
Hoja de datos
Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 435 V 1.1 V - 12 V, 16 V 25 A 150 W - 55 C + 175 C STGB25N40LZAG AEC-Q101 Reel, Cut Tape

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss in a TO-247 long leads
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si - 20 V, 20 V STGWA30M65DF2 Tube