IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

Resultados: 26
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Cualificación
Empaquetado

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
Hoja de datos
3.710En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGD6M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
Hoja de datos
74En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si D2PAK SMD/SMT Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGB40V60F Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
Hoja de datos
990En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate H series 600V 15A HiSpd
Hoja de datos
2.210En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 30 W - 55 C + 175 C STGF15H60DF Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
Hoja de datos
1.166En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGW30V60DF Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
Hoja de datos
906En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40V60DF Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
Hoja de datos
1.072En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60V60DF Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Hoja de datos
747En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGWA40H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Hoja de datos
802En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 50 A 167 W - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
Hoja de datos
344En existencias
1.000Fecha prevista: 02/04/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.85 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGB30V60DF Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBT 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
Hoja de datos
1.076En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGP20V60DF Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 40A trench gate field-stop IGBT
Hoja de datos
161En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H60DLFB Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
Hoja de datos
258En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60V60F Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Hoja de datos
406En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 50 A 167 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Hoja de datos
496En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 72 A 227 W - 55 C + 175 C STGWA40HP65FB2 Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Hoja de datos
292En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20V60F Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 60A trench gate field-stop IGBT
Hoja de datos
1.106En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60H65DFB Tube


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Hoja de datos
290En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-3PF Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 62.5 W - 55 C + 175 C STGFW40H65FB
STMicroelectronics IGBT 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20H60DF Tube
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT fea
Hoja de datos
Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Hoja de datos
Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 115 A 375 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics STGB20H65FB2
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

- 20 V, 20 V Reel
STMicroelectronics STGB20H65DFB2
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

- 20 V, 20 V Reel
STMicroelectronics STGP30H65DFB2
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

- 20 V, 20 V Tube

STMicroelectronics IGBT Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 435 V 1.1 V - 12 V, 16 V 25 A 150 W - 55 C + 175 C STGB25N40LZAG AEC-Q101 Reel