STGWA40HP65FB2

STMicroelectronics
511-STGWA40HP65FB2
STGWA40HP65FB2

Fabr.:

Descripción:
IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 493

Existencias:
493 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
3,47 € 3,47 €
2,23 € 22,30 €
2,00 € 200,00 €
1,51 € 906,00 €
1,32 € 1.584,00 €
1,29 € 3.870,00 €
1,26 € 6.804,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
72 A
227 W
- 55 C
+ 175 C
STGWA40HP65FB2
Tube
Marca: STMicroelectronics
Corriente continua del colector Ic Máx.: 72 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 600
Subcategoría: IGBTs
Peso unitario: 6,100 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 650V HB

Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 650V HB de STMicroelectronics son IGBT desarrollados con una estructura avanzada Trench Gate y Field Stop propietaria. Estos dispositivos representan un equilibrio óptimo entre pérdidas de conducción y de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Gracias a la tecnología Trench-Gate Field-Stop de alta velocidad avanzada de ST, estos IGBT incluyen una cola de apagado de corriente de colector mínima, así como una tensión de saturación muy baja (Vce(sat)), hasta 1,6 V (típica), para minimizar las pérdidas de energía durante la conmutación y en el encendido. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada permiten un funcionamiento más seguro en paralelo.
Más información