STGP30H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGP30H65DFB2
STGP30H65DFB2

Fabr.:

Descripción:
IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag

Ciclo de vida:
NRND:
No se recomienda para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
15 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 1000   Múltiples: 1000
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
0,894 € 894,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
- 20 V, 20 V
Tube
Marca: STMicroelectronics
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: IGBTs
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.