IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 650V HB

Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 650V HB de STMicroelectronics son IGBT desarrollados con una estructura avanzada Trench Gate y Field Stop propietaria. Estos dispositivos representan un equilibrio óptimo entre pérdidas de conducción y de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Gracias a la tecnología Trench-Gate Field-Stop de alta velocidad avanzada de ST, estos IGBT incluyen una cola de apagado de corriente de colector mínima, así como una tensión de saturación muy baja (Vce(sat)), hasta 1,6 V (típica), para minimizar las pérdidas de energía durante la conmutación y en el encendido. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada permiten un funcionamiento más seguro en paralelo.
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STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics IGBT Trench gate H series 650V 80A HiSpd
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
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IGBT Transistors Si SMD/SMT
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
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485En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
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564En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
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223En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 600V 60A trench gate field-stop IGBT
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1.327En existencias
1.800Fecha prevista: 08/01/2027
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
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3.521En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
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742En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P

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238En existencias
1.000Fecha prevista: 18/09/2026
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
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IGBT Transistors Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
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600Fecha prevista: 13/07/2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
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1.060En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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280En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF
STMicroelectronics IGBT 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
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600Fecha prevista: 24/08/2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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1.200Fecha prevista: 16/10/2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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No en almacén Plazo producción 14 Semanas
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
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Plazo producción 14 Semanas
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
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No en almacén Plazo producción 14 Semanas
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3